単結晶4H-SiC加工実績追加

弊社トップ精工では、近年パワー半導体分野のウエハ素材として注文されております単結晶の4H-SiCの研削加工を確立致しました。

熱伝導率がRT420～490W(W／mK)と非常に高く、放熱部品としての使用も可能でございます。
詳細な特性データは炭化ケイ素ページ内部に記載しております。

ご興味がございましたら、お気軽にお問い合わせください。

以上、今後とも宜しくお願い申し上げます。